I BM及其合作伙伴将采用HKMG(high-k/metal gate)技术制造新芯片，英特尔公司目前已在45纳米处理器中采用了同类技术。IBM及其合作伙伴说，在同等“操作电压”或电耗水平下，新芯片性能要比45纳米技术提高35%。

　　IBM公司称，新技术可使三星、东芝和飞思卡尔这类公司制造功能更强大但不会产生更多热量的产品。对手机这类小型设备和采用大量服务器的数据中心来说，新芯片制造技术是一项必须的改进。与45纳米技术相比，新芯片可使电力消耗水平降低30-50%。

　　IBM公司表示，它们在2009年下半年将向芯片开发合作伙伴提供32纳米技术，不过现在可以开始用新技术来设计新的设备。